浪涌也叫突波，顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講，浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時間內(nèi)的一種劇烈脈沖，可能引起浪涌的原因有：重型設(shè)備、短路、電源切換或大型發(fā)動機。而含有浪涌阻絕裝置的產(chǎn)品可以有效地吸收突發(fā)的巨大能量，以保護連接設(shè)備免于受損。

浪涌產(chǎn)生的時間非常短，大概在微微秒級。浪涌出現(xiàn)時，電壓電流的幅值超過正常值的兩倍以上。由于輸入濾波電容迅速充電，所以該峰值電流遠遠大于穩(wěn)態(tài)輸入電流。電源應(yīng)該限制AC開關(guān)、整流橋、保險絲、EMI濾波器件能承受的浪涌水平。反復(fù)開關(guān)環(huán)路，AC輸入電壓不應(yīng)損壞電源或者導(dǎo)致保險絲燒斷。

浪涌普遍的存在于配電系統(tǒng)中，也就是說浪涌無處不在。浪涌在配電系統(tǒng)主要表現(xiàn)有：電壓波動

在正常工作情況下，機器設(shè)備會自動停止或啟動

用電設(shè)備中有空調(diào)、壓縮機、電梯、泵或電機

電腦控制系統(tǒng)經(jīng)常出現(xiàn)無理由復(fù)位

電機經(jīng)常要更換或重繞

電氣設(shè)備由于故障、復(fù)位或電壓問題而縮短使用壽命 浪涌對敏感電子電器設(shè)備的影響有以下類型： 破壞

? 電壓擊穿半導(dǎo)體器件

? 破壞元器件金屬化表層

? 破壞印刷電路板印刷線路或接觸點

? 破壞三端雙可控硅元件/晶閘管…… 干擾

? 鎖死、晶閘管或三端雙向可控硅元件失控

? 數(shù)據(jù)文件部分破壞

? 數(shù)據(jù)處理程序出錯

? 接收、傳輸數(shù)據(jù)的錯誤和失敗

? 原因不明的故障…… 過早老化

? 零部件提前老化、電器壽命大大縮短

? 輸出音質(zhì)、畫面質(zhì)量下降

以配電系統(tǒng)為參照物，則浪涌可以分成系統(tǒng)外的和系統(tǒng)內(nèi)的兩種。根據(jù)統(tǒng)計，系統(tǒng)外的浪涌主要來自于雷電和其它系統(tǒng)的沖擊，大約占 20%；系統(tǒng)內(nèi)的浪涌主要來自于系統(tǒng)內(nèi)部用電負荷的沖擊，大約占 80%。

外部—主要是雷擊 •內(nèi)部– 用電設(shè)備的開關(guān)等 雷電：

 •1、直擊雷，雷電擊在避雷針、避雷帶及建筑物或煉油塔的某部位。

雷擊點強大的磁場向四周輻射。 雷擊即便沒有直接擊中建筑物，也會對建筑物內(nèi)的微電子設(shè)備造成損壞，因為只要雷擊中心點發(fā)生在距建筑物半徑２Km范圍內(nèi)，在此范圍內(nèi)的空間里就會產(chǎn)生的電磁場，所有從這個電磁場中穿越的供電線路，網(wǎng)絡(luò)和信號線路等，都會因電磁感應(yīng)而在線路上產(chǎn)生一個浪涌電壓，并沿著線路進入大樓內(nèi)的設(shè)備輸入端口，從而將電子設(shè)備摧毀。

•3、雷電流在電源和信號線上的分流；

•4、雷電感應(yīng)：雷電流從引下線泄放過程中在周圍形成強大的交變磁場，處于磁場內(nèi)的金屬導(dǎo)體上產(chǎn)生感應(yīng)電壓。

•5、雷擊部位形成的局部高電位。

•6、雷電部侵入。 直接雷擊擊中電力線路或引下線疏導(dǎo)雷電流時，在電力線路上會產(chǎn)生雷擊過電壓并在電力線纜周圍產(chǎn)生強大的電磁脈沖，凡是在此電磁脈沖范圍內(nèi)的各種電力、信號及控制線路都會感應(yīng)出過電壓，這部分過電壓將會沿各種線路傳輸?shù)胶蠖说脑O(shè)備，從而引起設(shè)備的誤動作或損壞。

電網(wǎng)內(nèi)部浪涌：

（1）電力大負荷的投入和切除； 空調(diào)、壓縮機、泵或馬達

（2）感性負荷的投入和切除；

（3）功率因素補償電容器的投入和切除

（4）短路故障

（5）機械觸點機械開關(guān)包括電磁繼電器的開關(guān)觸點、按鈕開關(guān)、按鍵、帶開關(guān)電位器等